發展歷史

1984 Brad Mattson 創建美國諾發
1985 At the SEMICON West show in San Mateo, Novellus launches the Concept One® CVD (chemical vapor deposition) system.
1986 9 月 29 日，Bob Graham 被任命為公司總裁/首席執行長
1987 在電腦晶片表面製造絕緣層的 Concept One 化學氣相沉積絕緣機台首批出貨。此產品特點為：革命性的產品結構和多站式順序沉積 (MSSD)。一個化學氣相沉積的反應室裏共有七個站。每站沉積薄膜七分之一，不但使每一片晶圓的薄膜達到近乎完美的一致性，同時具備批次處理系統的較高產出。在競爭日益白熱化的半導體產業中，Concept One 最適合沉積高品質同時達到產出要求的薄膜。

在追求高生產力的過程中，美國諾發率先採用新設備工業製造，成為第一個在無塵室環境下生產化學氣相沉積製程設備的公司。我們進行實際沉積作為設備最後的測試步驟，使系統啟動時減少粒子污染，並減少現場維修人員在客戶的晶圓工廠作最後調整的需求。
1988 美國諾發公開上市。
1989 第 100 台 Concept One 系統裝運出貨，意味著美國諾發同樣具備了處理新生代化學氣相沉積系統的實戰能力。
1990 美國諾發推出了 Concept One-W 系統用於鎢塞的化學氣相沉積。系統除具備 Concept One 平臺高品質薄膜、高產出、低成本這些一貫的優點，更經過獨特設計，可解決高級電路中使用鎢引起的粒子污染問題。其中最值得注意的是專利氣體排除法 (亦稱作 MOER)，無須採用競爭對手的吸附方法，即可有效防止薄膜後方的鎢沉積，抑制會降低產出的粒子的數量。
1991 隨著積體電路向多層內連結構發展，美國諾發推出了 Concept Two。這是一種革命性的新型化學氣相沉積平臺，可將連續的生產製程整合為單一系統。Concept Two 模組獨特的靈活設計可根據特定的生產工序進行設定，並具備 Concept One MSSD 的特點，如：粒子控制、性能控制和工序重複。
1992 350 多套 Concept One系統進入全球的晶圓工廠。
1993 12 月 4 日，Rick Hill 成為公司首席執行長。

公司推出針對鎢沉積而研製的 Concept Two ALTUS 系統，指出一條整合多個工序的途徑，如鎢沉積前的阻擋層沉積。同時該系統也符合工廠對於下一代超淨加工設施的自動化要求。
1994 美國諾發因產品可靠的性能而聞名，推出了業界第一個對耗材和預防性維修零件長達兩年的保修承諾，這樣顧客將日常零件和維修視為固定營運費用，而非昂貴的變動開支。同年 7 月公司慶祝第 500 套化學氣相沉積系統出貨。
1995

美國諾發推出絕緣化學氣相沉積 Concept Two SEQUEL 系統，結合了 Concept One 可靠的多站式順序沉積和處理多層高級薄膜的能力。這項新產品成為業界首創每小時產出超過 100 片晶圓的絕緣薄膜的產品，是先進記憶體裝置的核心技術。


推出 SPEED 系統，這是第一個高密度電漿 (HDP) 化學氣相沉積的解決方案，用於 0.35 微米及以下的金屬層間絕緣層。SPEED 系統的專利半球電漿源在大深寬比裝置的高品質絕緣薄膜層之間可進行高效和均勻無孔的填充。
1996 SPPED 系統在新興的高密度電漿化學氣相沉積製程市場中獲得 75% 的市佔率，預定量已超過 1 億美元。美國諾發在財富雜誌年度百大企業中排名 19。
1997 美國諾發通過收購 Varian Associates 的薄膜產品事業部，順利打入阻隔層沉積的物理氣相沉積金屬化市場。這次收購也使諾發在下一波 0.25um及以下的先進裝置科技潮流中處於領先地位。

美國諾發公司在年度 SEMICON West 展覽會宣布以鑲嵌製程做為未來願景，諾發產品和製造工序整合後市場會轉向銅導線雙嵌入式製程。

300 釐米晶圓表面絕緣體和鎢化學氣相沉積產品 Concept 3平臺上市。
截至目前，超過 2000 套化學氣相沉積和物理氣相沉積系統應用於全球晶圓工廠。
1998

4月，美國諾發推出新一代針對 0.18 微米及以下裝置設計的 INOVA PVD 平臺。該產品結合了專利中空磁控管源技術與高生產力平台，提供所需的物理氣相沉積金屬化技術，可靠度及擁有成本，以達到最先進裝置的生產目標。

6 月，公司首次展示了鑲嵌 Complete Copper 產品。該產品經過精心設計，包括一套完整的裝置和工序，實現了積體電路製造新領域的先進量產的銅質內連結構。鑲嵌製程的核心是一套革命性的新沉積系統 SABRE，包括諾發及該領域的夥伴聯盟Lam Research 和 SpeedFam-IPEC所提供領先業界的化學氣相沉積、物理氣相沉積、蝕刻、化學機械平坦化和清潔技術。SABRE 系統使無孔銅質electrofill 電化沉積產品具有極細的寬度和大深寬比積體電路結構。隨著可靠高效的 SABRE 機台的誕生，銅質 electrofill 電化沉積產品走出實驗室，正式廣泛應用於生產。

美國諾發在 7 月的 SEMICON West 展覽會上宣佈即將與 IBM 簽定許可協議，以便在新的 SABRE 系統中運用 IBM 的銅電鍍技術。這項協定是兩公司繼兩年合作研發計畫之後再次攜手，旨在製造大量生產所需的電鍍設備。

秋初，IBM 宣佈使用 SABRE 系統製造出第一批運用銅製程的微處理器。

1999 4 月，諾發公司推出第二代最佳化適用於大量生產的銅 electrofill 機台 SABRE xT 系統，尺寸為 200/300 釐米，特點為變動的電波形和填充 0.10 um 規格以下的先進幾何製程。

隨後 6 月又推出了 CORAL 家族產品。low-k 絕緣薄膜在 SEQUEL Express 平臺上進行沉積，並進行 了0.10 um 銅導線雙嵌入式製程優化。隨著諾發深入市場，化學氣相沉積製程被定位為更可取的的 low-k 薄膜沉積方法。

年底，10 大半導體製造商中有 8 個選用 SABRE 系統於銅試驗和正式生產線。
2000 4 月，美國諾發公司成為半導體基礎設備業界內第一個通過 ISO14001 認證的公司。同月，SABRE 和 SABRE xT 系統創造了 1 百萬晶圓的紀錄。

5 月，公司列入標準普爾 500 指數行列。

6 月，美國諾發在 SEMICON West 展覽會上推出了 VECTOR PECVD 系統 ;套用某分析師的話—這產品是”同類殺手”。針對鑲嵌製程中的薄膜沉積精心設計，包括化學氣相沉積 low-k 薄膜，該系統具備業內同類系統兩倍的生產力，所佔面積僅三分之二，三分之一數量的關鍵零件，只相當於 200 釐米的價格。

10 月，美國諾發宣佈 與 Gasonics International Corporation 簽定收購協議，第一次進入沉積市場範圍之外的加工領域。

11 月，公司總營收超過 10 億美元，締造新的里程碑。
2001 1 月收購 Gasonics完成。

5 月獲頒數個重要獎項。美國諾發是唯一榮獲韓國三星電子公司 2000 年度最佳供應商獎的海外公司，同時榮獲英代爾公司 2000 年度供應商質量進步 (SCQI) 獎，成為沉積設備領域唯一獲此殊榮的供應商。

6 月 27 日在印度 Bangalore 設立第一家辦事處作為軟體發展中心。

內部組織進行調整。5 月，Peter Hanley 經任命為公司的總裁，入駐首席執行長辦公室，Bob  Havemann 由美國德州儀器公司招入擔任研發副總裁一職。隨後，David Williams 離開朗訊科技加入美國諾發任主管生產的副總裁。
2002 1 月，公司新任財務總監 Kevin Royal 上任。

其後兩月間先後榮獲英代爾公司最佳品質供應商獎和美國德州儀器公司 2001 年度優秀供應商獎。

5 月，美國諾發擴充了工程和生產用甚礎設施，位於奧勒岡州圖拉丁的新設施全面投入使用。「銅廠區」占地 38 萬 2 千平方英尺，規劃生產鍍銅和嵌入式絕緣沉積機台。

同月，美國諾發第 100 個 SABRE Electrofill 系統機台出貨至台灣積體電路公司，印證了公司在電化沉積市場的主導地位，拉開了與有力競爭對手的領先優勢。SABRE 系統目前加工的晶圓全球共計超過 2 千萬片。

7 月在 SEMICON West 展覽會上推出 GAMMA™ 2130 光阻去除系統和 SIERRA™ 先進乾燥清潔系統。兩款 300 釐米表面處理機台比現在市場上同類產品，在擁有成本、生產力和可靠性方面有極大改進，可延伸運用至 65 奈米節點。

8 月，美國諾發在一次股票交易中宣佈收購 SpeedFam-IPEC 的意圖。此次收購使美國諾發得以進入化學機械平坦化系統市場，進一步鞏固在銅鑲嵌製程連接技術上的領先地位。


2003 兩位業界資深人士本年加入美國諾發公司。3 月，英代爾公司銅/low-k 領域著名的Chien Chiang博士受雇為美國諾發新一任的研發副總裁。Tom St. Dennis，美國 Wind River 系統公司的前任總裁，7 月上任成為諾發主管全球營銷和服務的執行副總裁。

10 月，美國諾發在上海復旦大學舉辦了「復旦-諾發互連研究中心」落成簽約儀式，學校官員和當地名流悉數到場。美國諾發贈送學校 4 套 200 釐米系統，包括 Concept One 絕緣機台、SABRE、INOVA 和 MOMENTUM用於學校的基礎研究和應用學習，且更加奠定了復旦大學作為中國高科技產業微電子研究中心的成功地位。

美國諾發在 SEMICON 日本展覽會上推出了最新的 SABRE 系統 SABRE NexT (Nano Era extendible technology，奈米時代可延伸技術)。系統針針對 90 奈米以下填充所面臨的挑戰性難題作了一系列改進，例如單級化學處理和全新的陽極電池設計。Sony 公司成為率先訂購 SABRE NexT 產品用於 45 奈米開發的公司。

諾發公司 700 餘名現場維修工程師為全球 5,900 套諾發系統提供技術支援。
2004 兩位業界資深人士本年加入美國諾發公司。3 月，英代爾公司銅/low-k 領域著名的Chien Chiang博士受雇為美國諾發新一任的研發副總裁。Tom St. Dennis，美國 Wind River 系統公司的前任總裁，7 月上任成為諾發主管全球營銷和服務的執行副總裁。

10 月，美國諾發在上海復旦大學舉辦了「復旦-諾發互連研究中心」落成簽約儀式，學校官員和當地名流悉數到場。美國諾發贈送學校 4 套 200 釐米系統，包括 Concept One 絕緣機台、SABRE、INOVA 和 MOMENTUM用於學校的基礎研究和應用學習，且更加奠定了復旦大學作為中國高科技產業微電子研究中心的成功地位。

美國諾發在 SEMICON 日本展覽會上推出了最新的 SABRE 系統 SABRE NexT (Nano Era extendible technology，奈米時代可延伸技術)。系統針針對 90 奈米以下填充所面臨的挑戰性難題作了一系列改進，例如單級化學處理和全新的陽極電池設計。Sony 公司成為率先訂購 SABRE NexT 產品用於 45 奈米開發的公司。

諾發公司 700 餘名現場維修工程師為全球 5,900 套諾發系統提供技術支援。
2005 2005 is notable for the introduction of two new products, one evolutionary and the other revolutionary

At SEMICON West in July, the company launches the INOVA NexT, a next-generation PVD system. In the INOVA NexT, the system's Hollow Cathode Magnetron (HCM) PVD source has been extended to the 45-nm process node, and a new ion-induced atomic layer deposition (iALD™) module has been integrated onto the platform for depositing tantalum nitride barrier films in narrow line widths below 45-nm.

In December, the company introduces SOLA™, the industry's first production-ready standalone ultra-violet thermal processing (UVTP) system for sub-90 nm dielectrics. A key enabler for a variety of advanced film applications, including transistor-level high stress nitrides (HSN) and interconnect-level low-k dielectrics, SOLA uses a combination of UV light and heat to modify the properties of deposited dielectric films, creating higher stress levels in the case of HSN films and mechanically strengthening low-k dielectrics through the removal of porogens.